Terahertz izvori su oduvijek bili jedna od najvažnijih tehnologija u području THz zračenja. Mnogo načina se pokazalo funkcionalnim za postizanje THz zračenja. Tipično, elektronika i fotonička tehnologija.U području fotonike, nelinearna optička generacija razlike frekvencije na temelju velikog nelinearnog koeficijenta, nelinearnih kristala s visokim pragom optičkog oštećenja jedan je od načina za dobivanje THz vala velike snage, podesivog, prijenosnog i radnog na sobnoj temperaturi.Najviše se primjenjuju nelinearni kristali GaSe i ZnGeP2(ZGP).
Kristali GaSe s niskom apsorpcijom na milimetarskom i THz valu, visokim pragom oštećenja i visokim koeficijentom drugog neliera (d22 = 54 pm/V), obično se koriste za obradu Terahertz vala unutar 40 μm i također dugog valnog pojasa podesivog THz vala (iznad 40 μm).Dokazano je da je podesivi THz val na 2,60 -39,07μm kada je kut podudaranja na 11,19°-23,86°[eoo (e - o = o)], i 2,60 -36,68μm izlaz kada je kut podudaranja na 12,19°-27,01°[eoe (e - o = e)].Nadalje, 42,39-5663,67μm podesivi THz val dobiven je kada je kut podudaranja na 1,13°-84,71°[oee (o - e = e)].
Kristali ZnGeP2 (ZGP) s visokim nelinearnim koeficijentom, visokom toplinskom vodljivošću, visokim pragom optičkog oštećenja također su istraživani kao izvrstan THz izvor.ZnGeP2 također ima drugi nelinearni koeficijent pri d36 = 75 pm/V), što je 160 puta više od KDP kristala.Dva tipa kuta faznog podudaranja ZGP kristala (1,03°-10,34°[oee (oe = e)]& 1,04°-10,39°[oeo (oe= e)]) obrađuju sličan THz izlaz (43,01 -5663,67μm), tip oeo pokazao se boljim izborom zbog većeg učinkovitog nelinearnog koeficijenta.U vrlo dugom vremenu, izlazna izvedba kristala ZnGeP2 kao Terahertz izvora bila je ograničena, jer kristali ZnGeP2 drugih dobavljača imaju visoku apsorpciju u bliskom infracrvenom području (1-2μm): Koeficijent apsorpcije >0,7cm-1 @1μm i >0,06 cm-1@2μm.Međutim, DIEN TECH pruža ZGP (model: YS-ZGP) kristale sa super niskom apsorpcijom: koeficijent apsorpcije<0,35cm-1@1μm i <0,02cm-1@2μm.Napredni YS-ZGP kristali omogućuju korisnicima da postignu mnogo bolje rezultate.
Referenca:'基于 GaSe 和 Zn GeP2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 Chin.Phys.Soc.
